大家好(hǎo)，来看一则突发消息。

　　美光公司在华销售的(de)产品(pǐn)未通过(guò)网络安全(quán)审查

　　据(jù)网信办(bàn)消息(xī)，日(rì)前，网络安全审查办公(gōng)室依法对美光公司在(zài)华销售产品进(jìn)行了(le)网络(luò)安全审查。

　　审查发现，美(měi)光公司产品(pǐn)存在较严重网络安全问(wèn)题隐(yǐn)患，对我国关键信(xìn)息基础设施供应链(liàn)造成重大安全(quán)风险，影响我国(guó)国家(jiā)安全。为此，网络安全(quán)审查办公室依法作出不予通过网(wǎng)络安全(quán)审查的结论。按照《网络安全法》等法律法规，我国内关键信息基础设施的运营者应停止采(cǎi)购美光公(gōng)司产(chǎn)品。

　　此次对美光公司产(chǎn)品进(jìn)行网络(luò)安全审查，目的是防范产(chǎn)品网络安全问题(tí)危(wēi)害国家关键(jiàn)信息基(jī)础(chǔ)设施安全，是维护国家安全的必要措施。中国(guó)坚(jiān)定推进(jìn)大使相当于什么级别的干部 大使的级别是部级吗高水平(píng)对外(wài)开放(fàng)，只要遵守中国法律法(fǎ)规要求，欢(huān)迎各国(guó)企业、各类平台(tái)产品(pǐn)服务进入(rù)中国市场。

　　3月31日，中(zhōng)国网(wǎng)信网发文称(chēng)，为保障关键信息基础设施供应(yīng)链安(ān)全(quán)，防(fáng)范产品问题(tí)隐患造成网络安全风险，维护(hù)国家安全，依据《中华人(rén)民共(gòng)和(hé)国国家安(ān)全法》《中华人民共(gòng)和国(guó)网(wǎng)络安全法》，网络安全审(shěn)查办公室按照《网络安全审查办法(fǎ)》，对美光公司（Micron）在华销售的产品实(shí)施网络(luò)安(ān)全审(shěn)查。

　　美光是(shì)美国的存储(chǔ)芯片(piàn)行业龙头，也是全球存储芯片巨头之一，2022年收入(rù)来自(zì)中(zhōng)国市(shì)场收(shōu)入从此前高(gāo)峰57％降至2022年约11％。根据市场咨(zī)询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电子、 铠侠(xiá)、西(xī)部数(shù)据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力士、美光在全球 DRAM （内存(cún)）市场份额(é)约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙(lóng)、佰维存储等公司披露过美光等国际存储(chǔ)厂商为公司供应商(shāng)。

　　美光在(zài)江波龙(lóng)采购占(zhàn)比已(yǐ)经(jīng)显(xiǎn)著下(xià)降(jiàng)，至少已(yǐ)经不是主要大供应商。

　　公(gōng)告显(xiǎn)示， 2021年美光位(wèi)列(liè)江波龙第(dì)一大存储晶(jīng)圆供(gōng)应(yīng)商，采购约(yuē)大使相当于什么级别的干部 大使的级别是部级吗31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一大、第(dì)二大和第三大供(gōng)应(yīng)商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业链(liàn)上下游建立国内(nèi)外广泛合(hé)作(zuò)。2022年年报显示，江波龙与三星、美光、西部数据等主要存(cún)储晶圆原厂签署了长(zhǎng)期合约，确保存储晶圆供应的稳定性，巩固公司在下游市场的(de)供应优势，公司(sī)也与国内国产存储晶圆原厂武汉长江(jiāng)存储、合肥长鑫保持(chí)良好的(de)合(hé)作。

　　有券商此前就分(fēn)析，如果美光在(zài)中国区销(xiāo)售受到(dào)限(xiàn)制(zhì)，或(huò)将导致下游(yóu)客户转而采购国(guó)外三星、 SK海力士，国内(nèi)长江存储、长鑫存储等(děng)竞对(duì)产品

　　分析(xī)称，长存、长鑫的上游设备厂或从中(zhōng)受益。存(cún)储器的生(shēng)产已(yǐ)经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代(dài)，2 维到3维的结(jié)构转变使刻(kè)蚀(shí)和薄膜成为(wèi)最关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺步骤(zhòu)，同(tóng)时刻(kè)蚀(shí)目前前(qián)沿(yán)要刻到(dào) 60：1的深孔，未来可(kě)能(néng)会更深的(de)孔或者沟槽，催生(shēng)更(gèng)多设备需求。据(jù)东京电子披露(lù)，薄膜沉积(jī)设(shè)备及刻蚀占3D NAND产线资(zī)本(běn)开支合(hé)计为75％。自(zì)长江存储被加入美国限制名单，设备(bèi)国产化(huà)进程(chéng)加速，看好(hǎo)拓荆科技（薄膜沉(chén)积(jī)）等相关公司份额提(tí)升(shēng)，以及存储业务占比较(jiào)高的华海(hǎi)清(qīng)科（CMP）、盛美上海（清洗(xǐ)）等收入(rù)增长。

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