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　　美光(guāng)公(gōng)司在华销售(shòu)的(de)产品未通过网络安全审查

　　据网(wǎng)信办消息，日前，网络安全审查办公(gōng)室依法对(duì)美(měi)光公司(sī)在华销售产(chǎn)品进(jìn)行了网(wǎng)络安全审查。

　　审查发现，美光公(gōng)司产品存(cún)在(zài)较(jiào)严(yán)重(zhòng)网(wǎng)络安全问题(tí)隐患(huàn)，对我(wǒ)国关(guān)键信息基础设(shè)施供应(yīng)链造(zào)成重大(dà)安全风险，影响我(wǒ)国国家安全。为(wèi)此，网(wǎng)络安全审查(chá)办公(gōng)室依(yī)法作出不予通(tōng)过网(wǎng)络安全审(shěn)查的结论。按照(zhào)《网络安全(quán)法(fǎ)》等法律(lǜ)法规，我国内关(guān)键信息基(jī)础设施的运营者应停止采(cǎi)购美光公司产(chǎn)品。

　　此次对美(měi)光(guāng)公司(sī)产品进行网络(luò)安全审查，目(mù)的是防范产品网络安全问题危害(hài)国家关键(jiàn)信息基础设施(shī)安全，是(shì)维护国家安全的必要措施。中国坚定(dìng)推进高(gāo)水平对(duì)外开放(fàng)，只要遵守中国(guó)法律(lǜ)法规(guī)要求，欢迎各国企(qǐ)业、各类平台产品服务进入中国市场。

　　3月31日(rì)，中国(guó)网(wǎng)信网发文称，为(wèi)保障关键信(xìn)息基础设施(shī)供应链(liàn)安全，防范产品问题隐患造成(chéng)网络安全风险(xiǎn)，维护国家安全(quán)，依据《中(zhōng)华人民共和(hé)国国(guó)家安全法(fǎ)》《中华人民(mín)共和国网络安(ān)全法》，网络安(ān)全审查办(bàn)公室按照《网络安全审查办法》，对美光公(gōng)司（Micron）在华销售的产品实施网(wǎng)络安全审查。

　　美光是美国(guó)的存(cún)储(chǔ)芯片行(xíng)业(yè)龙头，也是(shì)全球存储芯片(piàn)巨头(tóu)之(zhī)一(yī)，2022年收入(rù)来自中国市(shì)场收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据(jù)市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子(zi)、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份额约为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力(lì)士、美光在全(quán)球(qiú) DRAM （内存）市(shì)场份(fèn)额(é)约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中(zhōng)，江波龙、佰维存储等公司披(pī)露过美光等国际(jì)存储厂商为(wèi)公司供应商。

　　美光在(zài)江波龙(lóng)采购占比(bǐ)已经显著下降，至少已经不是主(zhǔ)要大供(gōng)应(yīng)商。

　　公告显示， 2021年美光位列江(jiāng)波龙第一大存储晶圆供应商，采购(gòu)约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一(yī)大(dà)、第二大和第三(sān)大供应(yīng)商(shāng)采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙已顶的速度越来越快越叫的原因，顶的速度越来越快过程经在存储产业链上下游建立国(guó)内外广泛合(hé)作。2022年年报显(xiǎn)示，江(jiāng)波龙与三(sān)星、美光、西部数据(jù)等主要存储晶(jīng)圆原厂签(qiān)署了长期合(hé)约，确(què)保存储晶圆(yuán)供应的(de)稳(wěn)定性，巩固公司(sī)在下游(yóu)市场的(de)供应(yīng)优势(shì)，公司也与国内国产存储晶圆原厂武汉长江存储、合肥长(zhǎng)鑫保持良(liáng)好的(de)合作。

　　有(yǒu)券商此前(qián)就分析(xī)，如(rú)果美光在中国(guó)区销售(shòu)受到(dào)限制，或将导致下游客户转而(ér)采购国(guó)外三星(xīng)、 SK海(hǎi)力士，国(guó)内长(zhǎng)江存储、长鑫(xīn)存(cún)储等(děng)竞对产(chǎn)品

　　分析称，长存、长鑫的上游(yóu)设备厂(chǎng)或(huò)从中受益。存储器的生(shēng)产已(yǐ)经(jīng)演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时代，2 维到3维的结构转(zhuǎn)变使刻蚀(shí)和薄膜成为最关键、最(zuì)大量的加工设备。3D NAND每(měi)层均(jū顶的速度越来越快越叫的原因，顶的速度越来越快过程n)需要经过薄膜(mó)沉积工艺步骤，同时刻(kè)蚀目前(qián)前沿要(yào)刻到 60：1的深孔，未来可能(néng)会更深的(de)孔(kǒng)或者沟槽，催(cuī)生更多设(shè)备需求。据东京电子披露，薄膜沉(chén)积设备(bèi)及刻(kè)蚀占3D NAND产线资(zī)本开(kāi)支合(hé)计为75％。自长江存储被(bèi)加(jiā)入美国(guó)限(xiàn)制名单(dān)，设(shè)备(bèi)国产化进(jìn)程加(jiā)速，看(kàn)好拓荆科技（薄膜沉积(jī)）等相关公(gōng)司份额提(tí)升，以(yǐ)及存储业(yè)务(wù)占比(bǐ)较高的华海清科（CMP）、盛美(měi)上海（清洗）等收入增长(zhǎng)。

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