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　　美光(guāng)公司在华销售的产品未通过(guò)网络安全审查

　　据网(wǎng)信(xìn)办消(xiāo)息，日前，网络(luò)安全审(shěn)查办公室依法对美光公司在华销售产品进(jìn)行了(le)网络安全审查。

　　审查发现，美(měi)光(guāng)公(gōng)司产品存在较严重(zhòng)网络安全(quán)问题(tí)隐患(huàn)，对我国关键信息基础设施供应链造成重(zhòng)大安全风险(xiǎn)，影响(xiǎng)我国国(guó)家(jiā)安全。为此，网络安全(quán)审(shěn)查办(bàn)公室依法作出(chū)不予通过网络安全审(shěn)查的结论。按照《网(wǎng)络安全法(fǎ)》等法律法规，我国内关键信息(xī)基(jī)础设(shè)施的运营者应停止采购美光公司产品。

　　此(cǐ)次对(duì)美(měi)光(guāng)公司(sī)产品进(jìn)行(xíng)网络安全审查，目(mù)的是防范产品网(wǎng)络安全问(wèn)题危害国家关键信息基(jī)础(chǔ)设施安全，是维(wéi)护(hù)国家安全的必要(yào)措施。中国坚(jiān)定推(tuī)进高水平对外开放(fàng)，只要遵守(shǒu)中(zhōng)国(guó)法律法(fǎ)规要求(qiú)，欢迎各国企(qǐ)业、各(gè)类平台产品服务进入中国市(shì)场。

　　3月31日(rì)，中国(guó)网信网发文称，为保障关(guān)键信(xìn)息基(jī)础设施供应链安(ān)全(quán)，防范产(chǎn)品问题隐患(huàn)造(zào)成网络安全风险，维护国家安全(quán)，依据《中华人民(mín)共(gòng)和国国家安全法》《中华人(rén)民共(gòng)和国(guó)网络(luò)安全法》，网络安全审查(chá)办公室按照(zhào)《网络安(ān)全(quán)审查办法》，对美光公司（Micron）在华(huá)销售的产品实施网络(luò)安全审查。

　　美光是美国的存储芯片行业龙(lóng)头，也是全球存储芯片(piàn)巨(jù)头之一，2022年收(shōu)入(rù)来自中国市场收入从(cóng)此前高峰57％降至2022年(nián)约11％。根据市场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在(zài)全球崤什么时候读yao佳肴，崤什么时候读(qiú) NAND Flash （闪存）市场份(fèn)额约为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市(shì)场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司(sī)中，江波龙(lóng)、佰维存储等(děng)公司披露过(guò)美光等国际存储厂商为(wèi)公司(sī)供应(yīng)商。

　　美光(guāng)在江(jiāng)波龙采(cǎi)购占(zhàn)比(bǐ)已(yǐ)经(jīng)显(xiǎn)著下(xià)降(jiàng)，至少已经不是主(zhǔ)要大供(gōng)应商(shāng)。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美光位列江波龙(lóng)第(dì)一大(dà)存储晶圆供应商(shāng)，采购(gòu)约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年(nián)，江波(bō)龙(lóng)第一大(dà)、第二大(dà)和第三大供应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业链上下游建立国内外广泛合作。2022年年(nián)报(bào)显示，江(jiāng)波龙与三星(xīng)、美光、西部数据等主要(yào)存储晶圆原厂签署了(le)长期合约，确(què)保存储晶(jīng)圆供应(yīng)的稳定性，巩固崤什么时候读yao佳肴，崤什么时候读公司在(zài)下(xià)游(yóu)市(shì)场的供应(yīng)优势，公司也与国内国产(chǎn)存储(chǔ)晶圆(yuán)原厂武汉(hàn)长江存储、合(hé)肥长鑫保持良好的合作。

　　有(yǒu)券商此前就分析(xī)，如果美(měi)光在中国区(qū)销售受到(dào)限(xiàn)制(zhì)，或将导致下游(yóu)客户转而采购(gòu)国外三星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫(xīn)存储等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的上游设(shè)备厂或(huò)从(cóng)中(zhōng)受(shòu)益。存储器的生产已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的(de)工艺。另(lìng)外NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的结构转变使刻蚀和薄膜成为最(zuì)关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺步骤，同时(shí)刻蚀(shí)目前前沿要(yào)刻到(dào) 60：1的深孔，未来可能会更深的孔或者沟槽，催生更(gèng)多设备需求(qiú)。据东京电子(zi)披露，薄(báo)膜沉积设(shè)备及刻(kè)蚀占3D NAND产线资本开(kāi)支合计为75％。自长(zhǎng)江存储被(bèi)加入美国限制名单，设备国产化进(jìn)程加(jiā)速，看好拓荆科技（薄(báo)膜沉积）等相关公司(sī)份额提升，以及存储业务占比较高的华(huá)海清科（CMP崤什么时候读yao佳肴，崤什么时候读）、盛美(měi)上(shàng)海（清洗(xǐ)）等(děng)收入增(zēng)长。

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