大家好，来看(kàn)一则突(tū)发消息。

　　美(měi亚磷酸是几元酸怎么判断，硼酸是几元酸怎么判断)光公(gōng)司在华销售的产品(pǐn)未(wèi)通过(guò)网(wǎng)络安(ān)全审查

　　据网信办(bàn)消息，日前，网(wǎng)络安全审查办公室(shì)依法对美光公司(sī)在(zài)华(huá)销售产品(pǐn)进行了网络安全审查。

　　审(shěn)查(chá)发现，美光公司(sī)产(chǎn)品存在较严(yán)重(zhòng)网络(luò)安(ān)全问题隐(yǐn)患，对我国关键(jiàn)信息基础(chǔ)设(shè)施供应链造成重大(dà)安全风(fēng)险，影响我国国(guó)家安全。为此(cǐ)，网(wǎng)络(luò)安全(quán)审查办公室依法作出(chū)不予通过网(wǎng)络安全审查的结论。按照(zhào)《网络安全法》等法(fǎ)律法规，我国内关键信息基础设(shè)施的运营者应停止(zhǐ)采购美光公司产(chǎn)品。

　　此次对美(měi)光(guāng)公司产(chǎn)品进(jìn)行(xíng)网络(luò)安(ān)全审查，目的是防范产品网络安全(quán)问(wèn)题危(wēi)害国家关键(jiàn)信息基础设施安全，是维护国家(jiā)安全的必(bì)要措施。中(zhōng)国(guó)坚定推进(jìn)高水(shuǐ)平对外(wài)开放(fàng)，只要遵守中国法律法规(guī)要求，欢迎各国企业、各类平台产(chǎn)品服务进入中(zhōng)国市场。

　　3月31日(rì)，中国(guó)网信网发文称(chēng)，为保障(zhàng)关键信息基础设施供应链安全，防范产品(pǐn)问题隐患造(zào)成网络安全风险，维(wéi)护国(guó)家(jiā)安全，依据《中华人民(mín)共(gòng)和国国家安(ān)全法》《中华人(rén)民共和国网络安(ān)全法(fǎ)》，网络(luò)安全审查办公室(shì)按照《网络安全(quán)审查办法》，对美光公司（Micron）在华销售的产品(pǐn)实施(shī)网络安全审查。

　　美光(guāng)是美(měi)国的存储芯片行业龙头，也是全球存储芯片巨(jù)头之(zhī)一，2022年收(shōu)入来自中国市(shì)场收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份(fèn)额(é)约为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力(lì)士、美光在全(quán)球 DRAM （内(nèi)存）市(shì)场份额(é)约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司中，江(jiāng)波(bō)龙(lóng)、佰维存储等(děng)公司披露过美光(guāng)等国际存(cún)储厂商为公司供应(yīng)商(shāng)。

　　美光在江波(bō)龙采(cǎi)购占(zhàn)比(bǐ)已(yǐ)经显(xiǎn)著下降，至(zhì)少(shǎo)已经不(bù)是主(zhǔ)要(yào)大(dà)供应商。

　　公(gōng)告(gào)显示， 2021年美光位列江波龙第一大(dà)存储(chǔ)晶圆供应(yīng)商(shāng)，采购约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波龙第(dì)一大、第二(èr)大(dà)和第三大供应商采(cǎi)购金额占(zhàn)比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％亚磷酸是几元酸怎么判断，硼酸是几元酸怎么判断-height: 24px;'>亚磷酸是几元酸怎么判断，硼酸是几元酸怎么判断。

　　目(mù)前(qián)江波龙已经在存储产(chǎn)业链上下游建立国内外广泛合(hé)作。2022年年报显示，江波龙与三星、美(měi)光、西部(bù)数(shù)据等主要存(cún)储晶圆(yuán)原厂(chǎng)签署了(le)长期合约，确保存储(chǔ)晶圆供应的稳定(dìng)性，巩固公(gōng)司在(zài)下游市场的供(gōng)应优势，公司也与国内国(guó)产(chǎn)存(cún)储晶圆原厂武汉长江存(cún)储(chǔ)、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有(yǒu)券商此前就分析，如果美光在中国(guó)区销售受到限制，或将(jiāng)导致下游客户转而采购国外三星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存储等竞对产(chǎn)品

　　分析称，长存、长鑫的上游设(shè)备厂或从中(zhōng)受益(yì)。存储器的生产已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代(dài)，2 维(wéi)到3维的结(jié)构(gòu)转变使(shǐ)刻(kè)蚀和薄(báo)膜成为最关键、最(zuì)大量的加工(gōng)设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺步骤(zhòu)，同时刻蚀目前前沿(yán)要刻到 60：1的深孔，未来可能会更深的孔或(huò)者沟槽，催生更多设(shè)备需求。据东京电子披露，薄膜沉积设备(bèi)及刻(kè)蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江存储被加入美国(guó)限制名单，设(shè)备国产化进程加速，看好拓荆(jīng)科技(jì)（薄膜沉积）等相(xiāng)关公(gōng)司份额提升，以(yǐ)及(jí)存储业务占比较(jiào)高的华(huá)海(hǎi)清科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗(xǐ)）等收入增长(zhǎng)。

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