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　　美光公(gōng)司在华(huá)销售(shòu)的产品未(wèi)通过网络安全(quán)审(shěn)查

　　据网信办消(xiāo)息，日前，网络安全审查(chá)办公室依(yī)法(fǎ)对美(měi)光公司在华(huá)销售产品进行了网络安全审(shěn)查。

　　审查发现，幂级数展开式常用公式，幂级数展开式怎么推导>美光公司(sī)产品存(cún)在较严(yán)重(zhòng)网(wǎng)络安全(quán)问(wèn)题(tí)隐(yǐn)患(huàn)，对我国关(guān)键信息基础设施(shī)供应链(liàn)造成重大安全风险，影响我(wǒ)国国家安全。为(wèi)此，网络(luò)安全审查办公室依法作出不予通过网(wǎng)络安(ān)全审查的(de)结论。按照《网络安全法》等法(fǎ)律法规，我国内关键信息基础设施(shī)的运(yùn)营者应停止采购(gòu)美(měi)光公(gōng)司产(chǎn)品。

　　此次(cì)对美光公司产品(pǐn)进行(xíng)网络(luò)安全(quán)审(shěn)查，目的是防范产品网络安全(quán)问题(tí)危害(hài)国家(jiā)关键信息(xī)基础设施(shī)安全，是维护国(guó)家安全的(de)必要措施(shī)。中国坚定推进(jìn)高水(shuǐ)平对外开(kāi)放，只要遵守中国法律法(fǎ)规要求，欢迎各国企业、各类平台(tái)产品服务进(jìn)入(rù)中国(guó)市场。

　　3月31日，中国(guó)网信网发文称，为保障关键信息基础设施供应链(liàn)安全，防范(fàn)产品问题(tí)隐患造成网络安全(quán)风险，维护国家安(ān)全，依据《中华(huá)人民共和(hé)国(guó)国家(jiā)安全法》《中华人民共和(hé)国网络(luò)安全法(fǎ)》，网络(luò)安(ān)全审查办公室(shì)按(àn)照(zhào)《网络安(ān)全审(shěn)查办法》，对美(měi)光(guāng)公(gōng)司(sī)（Micron）在华销(xiāo)售的产品实施网络安(ān)全审查。

　　美光是美国的存储芯片行业龙头，也是全球存储芯片巨(jù)头之一，2022年收入(rù)来自中(zhōng)国市场收入从此前(qián)高(gāo)峰(fēng)57％降至(zhì)2022年约(yuē)11％。根(gēn)据市场(chǎng)咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三(sān)星电子、 铠(kǎi)侠、西部(bù)数据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市(shì)场份额约为 96.76％，三星(xīng)电子(zi)、 SK 海力士、美光在(zài)全球 DRAM （内存）市场(chǎng)份额约(yuē)为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司中，江(jiāng)波龙、佰(bǎi)维(wéi)存(cún)储等公(gōng)司(sī)披露过美(měi)光(guāng)等(děng)国际存储(chǔ)厂商为公(gōng)司(sī)供应商(shāng)。

　　美光在(zài)江(jiāng)波龙采购(gòu)占(zhàn)比(bǐ)已经显著下降(jiàng)，至(zhì)少已经不是主要大供(gōng)应商。

　　公告显示， 2021年美(měi)光位列江波龙第一大存储(chǔ)晶圆(yuán)供应商，采购(gòu)约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第(dì)一(yī)大、第二大(dà)和第(dì)三大(dà)供应商(shāng)采购金额(é)占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波(bō)龙已经(jīng)在存储产业(yè)链上下游建立(lì)国(guó)内外广泛合(hé)作。2022年年报显(xiǎn)示，江波龙与三星(xīng)、美光、西部数据等主要存储晶圆原厂签署了(le)长(zhǎng)期(qī)合(hé)约，确保(bǎo)存储晶圆供应的(de)稳定性，巩固公(gōng)司在(zài)下游市场的供应优势(shì)，公司(sī)也(yě)与国内国产存储晶圆原厂武汉长江存(cún)储、合(hé)肥长鑫保持良好的合作。

　　有券(quàn)商此前就分析，如(rú)果美光在中国区(qū)销售受到限(xiàn)制，或将导致下游客户转(zhuǎn)而采购国(guó)外三星、 SK海力士(shì)，国内(nèi)长江(jiāng)存(cún)储(chǔ)、长鑫存储等竞对(duì)产品(pǐn)

　　分析称，长(zhǎng)存、长鑫的上游设(shè)备厂(chǎng)或从中受益。存储器的(de)生(shēng)产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的(de)结构转(zhuǎn)变使刻蚀和(hé)薄膜成为(wèi)最关键、最大量的加工设备(bèi)。3D NAND每层均(jūn)需(xū)要经过薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀(shí)目前前沿要(yào)刻(kè)到 60：1的深(shēn)孔，未(wèi)来(lái)可能(néng)会更(gèng)深的孔或(huò)者沟槽，催生更多设(shè)备需(xū)求。据东(dōng)京电(diàn)子披露，薄(báo)膜沉(chén)积设备及刻(kè)蚀占3D NAND产线资本(běn)开(kāi)支合计为75％。自长江存(cún)储被加入美国限制(zhì)名单，设(shè)备国产化(huà)进程加(jiā)速，看好拓(tuò)荆科技（薄膜沉积）等(děng)相关公(gōng)司份额提升，以及(jí)存储(chǔ)业务(wù)占比较高(gāo)的华海清科(kē)（CMP）、盛美(měi)上海（清洗）等收入增长。

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