自4月下旬高(gāo)点回调接(jiē)近(jìn)13％，科创(chuàng)板再迎巨资抄底。

　　据Wind数据统计，截(jié)止5月23日(rì)，最(zuì)近一个月时间，场(chǎng)内资(zī)金(jīn)在科创板投资上采取“越跌(diē)越买”的操作，主要(yào)跟踪科(kē)创板(bǎn)及其关联指(zhǐ)数的ETF产品(pǐn)合计(jì)“吸金”256.43亿(yì)元，其中(zhōng)，华夏科创50ETF“吸金”高(gāo)达169亿(yì)元，位居全市场(chǎng)股票ETF资金净(jìng)流入(rù)榜首。

　　除(chú)了(le)科创板之外，半(bàn)导体相关(guān)ETF也持续吸引(yǐn)场内资金的(de)目光。场(chǎng)内11只跟踪半导(dǎo)体及芯片(piàn)指数的(de)ETF合计(jì)资金净流入超(chāo)过202亿元(yuán)。3只半导(dǎo)体(tǐ)相关(guān)ETF更(gèng)是(shì)“霸榜”最近一个月全(quán)市场行业ETF资金净流入榜单前(qián)三名。

　　在(zài)业内人士看(kàn)来，场内(nèi)资金不断借道ETF基金加(jiā)速布局科创板(bǎn)、半导体板块，体(tǐ)现(xiàn)出市(shì)场对上述板块投资价值(zhí)的认可。经过前期调整，这两大(dà)板块性价比也(yě)在逐渐(jiàn)提升。

　　科创(chuàng)板(bǎn)ETF最近一(yī)个月“吸金”超256亿元

　　作(zuò)为(wèi)场内资(zī)金(jīn)配置的工具性产品，ETF市场一直有着(zhe)逆(nì)势投资的特征，最近一个月，随着(zhe)科创板的回调，相关ETF也成为资金追(zhuī)逐的对象。

　　据Wind数据(jù)统计，截止(zhǐ)5月23日，最近一(yī)个月时间，主要(yào)跟(gēn)踪科(kē)创(chuàng)板及其关联(lián)指(zhǐ)数(shù)的(de)ETF产品合计(jì)“吸金”256.43亿(yì)元，其中(zhōng)，华夏科(kē)创50ETF“吸金”更是高达169亿元，位居全市(shì)场ETF资(zī)金(jīn)净流入榜首，除(chú)此之(zhī)外，易方达科(kē)创50ETF资金净流入也超过30亿元，嘉实科创芯片ETF、工(gōng)银瑞信科创ETF两(liǎng)只基(jī)金(jīn)资金(jīn)净流入也均在(zài)10亿元之上。

　　今年(nián)以来，场内资金持(chí)续(xù)流入科创板(bǎn)相关ETF，华夏科(kē)创50ETF规模(mó)从年初仅(jǐn)500亿元出头涨至目前的(de)606.24亿元(yuán)，规模位居股票ETF第二(èr)名，仅次于华泰柏瑞沪(hù)深300ETF。

　　在易方达基金看来，电子、计三生三世枕上书白滚滚的真身是什么，三生三世枕上书中白滚滚的真身是什么算(suàn)机等科创(chuàng)板的核(hé)心权重行(xíng)业持续获得资金青睐(lài)，一(yī)方面源(yuán)于一季度以ChatGPT为(wèi)代表的AI产业成为(wèi)市场关注焦点，另(lìng)一方面随(suí)着半导体(tǐ)下行周期(qī)拐点(diǎn)临近(jìn)，业绩(jì)边际(jì)改善的预期吸引(yǐn)资金切(qiè)换赛道。

　　从(cóng)科创板的核心板块业绩(jì)变(biàn)化来(lái)看，电(diàn)子、计算机和(hé)通信(xìn)板块(kuài)的2023年盈利和收入(rù)预期增(zēng)速保持在(zài)较(jiào)高水平，相比过去明(míng)显(xiǎn)改善(shàn)，与此同时新(xīn)能源(yuán)板(bǎn)块的(de)增速依然稳健，凸显出科(kē)创(chuàng)板整体较高的盈利质量。

　　易方达基(jī)金进一步分析(xī)指出，整体来看，科创50作(zuò)为(wèi)成长性宽基，今年一季度的利润增速相对较高，配置(zhì)吸引力显现。从未来(lái)的一致预(yù)期净利润(rùn)增速来看(kàn)，科创50相(xiāng)比其他宽基指数(shù)仍(réng)有优势，配(pèi)置性(xìng)价(jià)比较高(gāo)，反映(yìng)出较好的基本面。

　　从估(gū)值水平来看，科创50仍处于历史较低水平，同(tóng)时盈利估值匹配度(dù)依然较(jiào)优。截(jié)至2023年4月27日，科创50指数估值的PE（TTM）为44.10，处于过去三年估值分位数32.97％。

　　国泰(tài)科(kē)创板(bǎn)基金(jīn)经(jīng)理姜英也看好今年以(yǐ)来科创板走势。“从板(bǎn)块整体估值性价(jià)比以及(jí)对未(wèi)来产业(yè)的反应(yīng)程度，都是优于主板。”

　　“ 2023 年，我们看好科创板的表现，经过了三年的估值回归，很多公司的估(gū)值与成长匹配(pèi)，买入并持有可以享受行业和公司(sī)的长期(qī)成长(zhǎng)。”华南一位基金经理更是直言。

　　3只半(bàn)导体ETF位居行业ETF资金净流(liú)入(rù)前(qián)三名(míng)

　　最近一段时间，半导(dǎo)体(tǐ)行业风声不断。

　　5月23日，日本经济产(chǎn)业(yè)省公布外汇法法令修正案，将(jiāng)先进芯片制造设备等23个(gè)品类追加列入出口管理(lǐ)的管制(zhì)对(duì)象，上述修正(zhèng)案在经过2个月的公(gōng)告期后，并(bìng)将于(yú)7月(yuè)开始实施。受益于国(guó)产替(tì)代加速的预期，半导体板块成为5月24日A股市场(chǎng)少数逆势飘红的(de)板块(kuài)之一。

　　而(ér)在ETF市场上，随着前段时间(jiān)半导(dǎo)体(tǐ)板块回调，资金也在(zài)加速(sù)抄底这一板(bǎn)块(kuài)。

　　Wind数据统计显示，场内(nèi)11只跟踪(zōng)半导体或是芯片指数的ETF合计资金净(jìng)流入超过(guò)202亿元。其(qí)中，国联安半导体ETF“吸金”72.82亿元，华夏(xià)芯片ETF、国泰(tài)芯片(piàn)ETF资金(jīn)净流(liú)入(rù)也分别达(dá)到46.2三生三世枕上书白滚滚的真身是什么，三生三世枕上书中白滚滚的真身是什么9亿元、43.28亿(yì)元。上述3只半导(dǎo)体相关ETF更(gèng)是“霸榜”最近一(yī)个月(yuè)行(xíng)业ETF资金净流入前三名(míng)。

　　展望(wàng)未来半导体行业走势，国泰基金认为，存储芯片自2022年四(sì)季度至2023年(nián)一季度价格(gé)持续下探之后，当前阶段或(huò)已接近行业底(dǐ)部。

　　存储芯片行业(yè)周期相较于其他半导体产业链环节，具备较强的大宗商品属(shǔ)性，国际(jì)龙头会在下游(yóu)新兴需求诞(dàn)生(shēng)时，提升自身产能(néng)。而当扩产落(luò)地时，行业进入供过于求周(zhōu)期，各厂商则会通过降价(jià)进行库存去化。供(gōng)给(gěi)与(yǔ)需(xū)求(qiú)的错(cuò)配使得存(cún)储(chǔ)行业具有较强的(de)周(zhōu)期性。

　　国泰基金称，回顾历史上存储芯片(piàn)的周期(qī)走势，结合2022年四季度行(xíng)业龙头营(yíng)收数据，营收(shōu)增(zēng)速为(wèi)-44％。存储芯片当(dāng)前处于筑底(dǐ)阶段，下半年有望迎来存储(chǔ)芯片行业周(zhōu)期的(de)反(fǎn)弹机(jī)遇。

　　随着下游GPT-4大模型为代三生三世枕上书白滚滚的真身是什么，三生三世枕上书中白滚滚的真身是什么表的人工智(zhì)能新(xīn)兴需求爆发，对(duì)于算力以及存(cún)储(chǔ)的爆发性(xìng)需求(qiú)由(yóu)产业链下游传导到上游(yóu)，促进上(shàng)游芯(xīn)片厂商(shāng)提(tí)升自(zì)身产量。叠加近两个(gè)季度量(liàng)价(jià)持续下(xià)探(tàn)的周期性磨底，芯(xīn)片板块有(yǒu)望在今(jīn)年下半年迎来反弹(dàn)。

　　不过，国(guó)泰基(jī)金提醒，投资者需(xū)要警惕国际(jì)局势以及(jí)通胀带来的负面影响。

　　创(chuàng)金合信(xìn)芯片产业(yè)基(jī)金(jīn)经理刘扬则表示(shì)，硬科技的(de)投资机会需(xū)要看到真正的(de)业绩触底、拐(guǎi)点出现，以及一些(xiē)真正的创新落地。预(yù)计半导体和消费电子大概率在二(èr)季(jì)度(dù)及二季(jì)度以后触底，当行(xíng)业周期(qī)触底，科技(jì)创(chuàng)新蓄能才能真正地释放(fàng)出来，下半年(nián)硬科技的投资机会(huì)更(gèng)多。

　　鹏华(huá)国(guó)证半(bàn)导体(tǐ)芯片ETF基金经理罗英宇也倾(qīng)向(xiàng)判断，半导体产业链正(zhèng)处于供给侧收缩匹配(pèi)需(xū)求端，进一步压缩(suō)产业(yè)链库存的时期，价(jià)格下行压力(lì)逐步减轻(qīng)，行业有望迎来库存加速(sù)出(chū)清，营(yíng)收(shōu)和利润迎来(lái)拐点。

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