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　　美(měi)光公司在华销售(shòu)的产品(pǐn)未通过网络安(ān)全审查

　　据(jù)网信(xìn)办(bàn)消息，日前，网络安(ān)全审(shěn)查办公室依法对美光公(gōng)司在华销售(shòu)产(chǎn)品进行了网络安全审查(chá)。

　　审查(chá)发现，美光(guāng)公(gōng)司产(chǎn)品存在较(jiào)严重网络安全问题隐(yǐn)患，对我(wǒ)国关键信息基(jī)础设施供应(yīng)链造(zào)成(chéng)重大安全风险，影响我国国家安全。为此(cǐ)，网(wǎng)络安全审查(chá)办公室(shì)依法作(zuò)出不(bù)予(yǔ)通过网络安全(quán)审(shěn)查的结论。按照《网络安全法》等法律法规，我国内关键信息(xī)基础设施(shī)的(de)运营者(zhě)应停止采购美光公司产品。

　　此次对美光公司产(chǎn)品进行网络安全审查，目(mù)的是防范产品网(wǎng)络(luò)安全问题(tí)危害国(guó)家关键信息基础设(shè)施安(ān)全，是维护国家安全的必要措施。中国坚定推进(jìn)高水平对外开放，只要遵守(shǒu)中(zhōng)国(guó)法律法规要求，欢迎各(gè)国(guó)企业、各类平台(tái)产品服务进入中国市场。

　　3月31日，中国网信网发(fā)文称，为保障关键信息基(jī)础(chǔ)设施(shī)供应链安(ān)全(quán)，防(fáng)范产品(pǐn)问题隐患造(zào)成网络安全风险(xiǎn)，维(wéi)护国家安全(quán)，依据《中(zhōng)华人民共和国国家(jiā)安全法》《中华人民共(gòng)和国网络安全(quán)法(fǎ)》，网(wǎng)络安全审查办公室按照《网络(luò)安(ān)全(quán)审查办法(fǎ)》，对美光公司（Micron）在(zài)华销售的产品(pǐn)实施(shī)网络安全审(shěn)查。

　　美光(guāng)是美(měi)国(guó)的(de)存(cún)储芯片行业龙头，也(yě)是全球存储芯(xīn)片巨头之(zhī)一，2022年收入来自中国(guó)市场收入从此前(qián)高峰57％降至(zhì)2022年约11％。根(gēn)据市(shì)场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数(shù)据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额约(yuē)为 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰(bǎi)维存储等公司(sī)披露过(guò)美光等国际存储(12是什么意思chǔ)厂商为公司供应商。

　　美(měi)光在江波龙采购占比已经显著下降，至(zhì)少已经不是主要大供应商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年(nián)美光位(wèi)列(liè)江波龙(lóng)第(dì)一大存(cún)储晶圆(yuán)供应商(shāng)，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一大、第(dì)二大和(hé)第三大供应商(shāng)采购(gòu)金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已(yǐ)经在存储产业链上下游建立国内(nèi)外广泛合作。2022年年报显示，江波龙与三星、美光(guāng)、西部数据等主(zhǔ)要(yào)存储晶圆原厂签署了长期合约，确保存(cún)储(chǔ)晶(jīng)圆供应的稳定性，巩(gǒng)固公司在(zài)下(xià)游市场的供应优(yōu)势，公司也(yě)与国内国产(chǎn)存储晶圆(yuán)原厂武(wǔ)汉长江存储、合(hé)肥长(zhǎng)鑫保持良好的合(hé)作。

　　有券商此(cǐ)前就分析，如果美光(guāng)在中国区销售受到限制(zhì)，或(huò)将导致下游客12是什么意思(kè)户转(zhuǎn)而采购国外三星、 SK海力士，国内(nèi)长江存储、长(zhǎng)鑫存储(chǔ)等竞(jìng)对(duì)产品

　　分(fēn)析称，长存、长(zhǎng)鑫的上(shàng)游设备厂(chǎng)或从中受益(yì)。存储器的(de)生(shēng)产已(yǐ)经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在已经(jīng)进入3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的结构转变使刻蚀和薄膜成为最关键、最(zuì)大量的加(jiā)工设备。3D NAND每层(céng)均需(xū)要经过薄膜沉积(jī)工艺(yì)步骤，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未(wèi)来可(kě)能会(huì)更深的孔或者沟(gōu)槽，催(cuī)生(shēng)更多设备需求(qiú)。据东京电子披(pī)露，薄(báo)膜沉(chén)积设备及刻(kè)蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江存储(chǔ)被加(jiā)入美国限制名单，设备国产(chǎn)化进程加(jiā)速(sù)，看好拓荆(jīng)科技（薄膜沉积）等相关(guān)公司(sī)份额(é)提升(shēng)，以及(jí)存储业(yè)务占比较高的华海(hǎi)清(qīng)科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增(zēng)长(zhǎng)。

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