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　　美(měi)光公司在华(huá)销售的产品未通过(guò)网络安全审查

　　据(jù)网(wǎng)信办消(xiāo)息，日前，网络(luò)安全审查办公室依法对美光公司在华销售产品进行了网络安全(quán)审查。

　　审查发现(xiàn)，美光公(gōng)司产(chǎn)品存在较严重网络安全(quán)问题隐患，对我国关键信(xìn)息基础设施(shī)供应链造(zào)成重大安全风险，影响我国国(guó)家安全。为此，网络安全审查办公(gōng)室依法(fǎ)作(zuò)出不予通过网络安全审(shěn)查的结(jié)论。按照《网络安全法》等法律法(fǎ)规，我国内关键信息基础(chǔ)设施的运营者应停(tíng)止采购美(měi)光(guāng)公司(sī)产品(pǐn)。

　　此次对(duì)美光(guāng)公司(sī)产品进行(xíng)网络安全审查，目的是防范产(chǎn)品网络安全问(wèn)题危(wēi)害国家关键信息基础设施安(ān)全，是维护国家安全(quán)的必要措施。中(zhōng)国坚(jiān)定(dìng)推(tuī)进(jìn)高水平(píng)对外开放，只要遵守中国法律(lǜ)法规要求，欢(huān)迎各国企业、各类平台产品服务进入中国市场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保障关键信息基础设施(shī)供应链(liàn)安全，防范产(chǎn)品问(wèn)题隐患造成(chéng)网络(luò)安全风险，维护国家安全，依据《中华(huá)人(rén)民(mín)共和国国(guó)家安全(quán)法》《中(zhōng)华人民共和国网络(luò)安(ān)全(quán)法》礼字五笔怎么打字，礼字五笔怎么打字五笔怎么打开，网络安(ān)全审查(chá)办公室按照(zhào)《网络安全审查(chá)办法》，对美光公司（Micron）在华销售的产品实施网络安全审(shěn)查。

　　美光是美国的存储芯片行业龙头，也是(shì)全球(qiú)存储芯片巨(jù)头(tóu)之一，2022年收入来自(zì)中国市场收(shōu)入从此前高峰57％降至(zhì)2022年约(yuē)11％。根(gēn)据(jù)市(shì)场(chǎng)咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电(diàn)子、 铠(kǎi)侠(xiá)、西部(bù)数(shù)据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额约为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士、美光(guāng)在全球 DRAM （内存）市(shì)场份额约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中，江波龙(lóng)、佰维存储(chǔ)等(děng)公司披露过美(měi)光等国际存储厂商为公司供应(yīng)商。

　　美光在江(jiāng)波龙采购占比已经显著下降，至少已经(jīng)不是主要(yào)大(dà)供(gōng)应商。

　　公告(gào)显示， 2021年美光(guāng)位列江(jiāng)波龙第一大存储晶圆(yuán)供应商，采购约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江(jiāng)波(bō)龙第一大、第二大和第三大供应商采购金额占比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江(jiāng)波(bō)龙已经在存储产业链上(shàng)下游建(jiàn)立国内外广泛合作。2022年(nián)年报显示，江波龙(lóng)与三星、美(měi)光、西部(bù)数据等(děng)主要存储(chǔ)晶(jīng)圆原(yuán)厂(chǎng)签署了长(zhǎng)期(qī)合约，确保存储晶圆供应的稳(wěn)定性，巩固公(gōng)司在(zài)下游市(shì)场的供应(yīng)优势，公司也与国内国(guó)产存(cún)储晶(jīng)圆原(yuán)厂(chǎng)武汉(hàn)长江存储、合肥长鑫保持良(liáng)好的(de)合作。

　　有(yǒu)券(quàn)商此前就(jiù)分析，如果美光在中国(guó)区销(xiāo)售受(shò礼字五笔怎么打字，礼字五笔怎么打字五笔怎么打开u)到(dào)限(xiàn)制(zhì)，或将导致下游客(kè)户(hù)转(zhuǎn)而采购国外(wài)三星、 SK海力士，国内长江(jiāng)存储、长(zhǎng)鑫存储等(děng)竞对产品

　　分(fēn)析(xī)称，长存、长(zhǎng)鑫的上游设备厂(chǎng)或(huò)从(cóng)中受益(yì)。存储器的(de)生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在(zài)已经(jīng)进入(rù)3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使(shǐ)刻蚀(shí)和(hé)薄膜成为最关键、最(zuì)大量的加(jiā)工设备。3D NAND每(měi)层均(jūn)需要经过薄膜(mó)沉(chén)积工艺步骤，同时刻蚀(shí)目前(qián)前(qián)沿要刻到 60：1的深孔，未(wèi)来(lái)可能会(huì)更深的孔或(huò)者沟槽，催生更多设(shè)备(bèi)需求。据东京电子披露(lù)，薄(báo)膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为(wèi)75％。自长江存储被加入美国限(xiàn)制名单，设备国产化进程加速，看好(hǎo)拓(tuò)荆(jīng)科技（薄膜沉积(jī)）等相关公司份额提升，以及存储(chǔ)业务占(zhàn)比较(jiào)高的华海清科(kē)（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗）等收入增长。

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