大家(jiā)好(hǎo)，来看一则突(tū)发(fā)消息。

　　美光手指头在里边怎么动，扣自己的正确手势图(guāng)公司(sī)在华销售的产品未(wèi)通过网(wǎng)络安全审(shěn)查(chá)

　　据网信办消息(xī)，日前(qián)，网(wǎng)络安(ān)全审查办公(gōng)室依法对美光公司在(zài)华销售产品(pǐn)进行(xíng)了(le)网络(luò)安全审查(chá)。

　　审查(chá)发现，美光(guāng)公司产品存(cún)在较(jiào)严重网络安全问题(tí)隐患，对我国关键信息基础设(shè)施供应(yīng)链(liàn)造成重大安全(quán)风险，影响我国国(guó)家安全。为(wèi)此，网络安(ān)全审查(chá)办公室依法作出不予通过网络安(ān)全(quán)审查的结论。按照《网络安全(quán)法》等法律法(fǎ)规，我国内关键(jiàn)信(xìn)息基础(chǔ)设施的运营(yíng)者应停止采购(gòu)美光公(gōng)司产(chǎn)品。

　　此次对美(měi)光公司产品进行网络(luò)安全审查，目的(de)是防范(fàn)产品网络安全问题危害国家关键信息基础设施安全，是维(wéi)护国家安全的(de)必要(yào)措施。中国(guó)坚定(dìng)推(tuī)进高水平对外开放，只(zhǐ)要遵守中(zhōng)国法律(lǜ)法规要求，欢迎(yíng)各(gè)国企业、各(gè)类平(píng)台产品服务进入中国市场。

　　3月31日，中(zhōng)国(guó)网信(xìn)网发(fā)文(wén)称，为保障关键信息基(jī)础设(手指头在里边怎么动，扣自己的正确手势图shè)施供应(yīng)链安(ān)全，防范产品问题隐患造成网络(luò)安全(quán)风险(xiǎn)，维护国家安全，依据《中华人(rén)民共和国国(guó)家(jiā)安(ān)全(quán)法》《中华人民共(gòng)和国网络安全(quán)法》，网络安全审查(chá)办公室按照《网络安(ān)全审查办法(fǎ)》，对美光公司（Micron）在(zài)华销售的产品实施网络安全审查。

　　美光(guāng)是美国(guó)的存储芯片行业龙头，也(yě)是全球存(cún)储(chǔ)芯(xīn)片巨(jù)头之一(yī)，2022年收(shōu)入来自中(zhōng)国(guó)市场收入从此(cǐ)前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海(hǎi)力士、美(měi)光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市场份额(é)约为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海(hǎi)力士、美(měi)光(guāng)在全球 DRAM （内存(cún)）市(shì)场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上(shàng)市(shì)公司中，江(jiāng)波(bō)龙、佰维(wéi)存储等(děng)公司披(pī)露过美光等(děng)国际存储厂商为公司供应商。

　　美(měi)光在江波龙采购占比已经显著下降，至少(shǎo)已经不是主要大供应商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美光位列江波龙第一大存储晶圆供应商，采购约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一大、第二大和第三大供应(yīng)商(shāng)采购金额占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙已经在存储产(chǎn)业(yè)链上下游建立国(guó)内外广(guǎng)泛合作(zuò)。2022年年(nián)报显示，江波龙与三星、美(měi)光(guāng)、西部(bù)数据等主要存储晶圆原厂签署了长期(qī)合约，确保存(cún)储晶圆(yuán)供应的稳(wěn)定性，巩固公司在下游市场的供应优势，公司也与国内国产存储晶圆原厂武汉长江存储、合肥(féi)长鑫保持良好的合作。

　　有券商(shāng)此前就分(fēn)析，如果美光在中国区销售(shòu)受(shòu)到限制，或将导致下游(yóu)客户转而采(cǎi)购国外(wài)三星、 SK海力士，国内长江存储、长(zhǎng)鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的上游设备厂或从中受益(yì)。存储(chǔ)器(qì)的生产已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时代，2 维到3维的(de)结(jié)构转(zhuǎn)变(biàn)使刻蚀(shí)和薄膜成为最关键、最大量的加工设(shè)备。3D NAND每层均需要经过(guò)薄(báo)膜沉积工艺步骤，同时(shí)刻(kè)蚀目(mù)前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会更深的(de)孔(kǒng)或者沟槽，催生更多(duō)设备需求(qiú)。据(jù)东(dōng)京电子披(pī)露，薄膜沉积设(shè)备及(jí)刻(kè)蚀(shí)占3D NAND产线资本开支合(hé)计为75％。自长江存储(chǔ)被加入美国限制名单，设备国产化进程加(jiā)速，看(kàn)好拓(tuò)荆(jīng)科技（薄(báo)膜沉积(jī)）等相(xiāng)关公司份额提升，以及存储业务占(zhàn)比较高的华海清(qīng)科（CMP）、盛美(mě手指头在里边怎么动，扣自己的正确手势图i)上海（清(qīng)洗）等收入增长。

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