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　　美光公(gōng)司在华销售的产品未通过网络安全审查

　　据网信办消息，日前，网(wǎng)络安全(quán)审查办公室(shì)依法对美(měi)光公司在华销(xiāo)售产品进行了网(wǎng)络安全审查。

　　审查发现，美光公司产品存(cún)在(zài)较(jiào)严重网络(luò)安全问题(t希望的拼音是什么í)隐(yǐn)患，对我国关键信息(xī)基础设施供应链造(zào)成重大安全(quán)风险，影响我国(guó)国家安全。为(wèi)此(cǐ)，网络安全审查办(bàn)公室(shì)依法作出不予(yǔ)通过网(wǎng)络安(ān)全审查的结论。按(àn)照《网络安(ān)全(quán)法(fǎ)》等(děng)法律(lǜ)法(fǎ)规，我国内关键信息(xī)基础设(shè)施的运(yùn)营者应停(tíng)止采(cǎi)购美光公(gōng)司产(chǎn)品(pǐn)。

　　此次对(duì)美光公司产品(pǐn)进行网络安(ān)全审查，目的是防范产品网(wǎng)络安全问题危害国家关键信息基础(chǔ)设施安全，是(shì)维护国家安全的必(bì)要措(cuò)施。中国坚定推进高水平(píng)对外开放(fàng)，只要遵守中国法(fǎ)律(lǜ)法规要求(qiú)，欢迎各国(guó)企业、各类平台产品服务进入中国市场(chǎng)。

　　3月(yuè)31日(rì)，中国网信网发文称，为(wèi)保(bǎo)障关键信息基础设施供应链安全(quán)，防(fáng)范产品(pǐn)问题隐患造成网络安全(quán)风险，维护国家安(ān)全，依据《中华人民共和国国家安全(quán)法(fǎ)》《中华(huá)人(rén)民共和国网络安(ān)全(quán)法》，网络安全审查办公室(shì)按照《网络安(ān)全审查(chá)办法》，对美光(guāng)公司(sī)（Micron）在华销售的(de)产品实施(shī)网络安全审查。

　　美光(guāng)是美国的存储芯(xīn)片行业龙头，也是全球(qiú)存储芯片巨头之一，2022年收入来(lái)自中国市场(chǎng)收入从此前高峰(fēng)57％降至(zhì)2022年约11％。根据市(shì)场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电(diàn)子、 铠侠(xiá)、西部数据、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存(cún)）市场(chǎng)份额(é)约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美(měi)光在全球 DRAM （内存(cún)）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中，江波龙、佰维存储等公司披露过美(měi)光等国际存(cún)储厂商为公司供应商。

　　美光在江波龙采购占(zhàn)比已(yǐ)经显著(zhù)下降，至少(shǎo)已经不(bù)是主要大供(gōng)应商。

　　公告显示(shì)， 希望的拼音是什么2021年(nián)美光(guāng)位列江波(bō)龙第一(yī)大存储(chǔ)晶(jīng)圆供(gōng)应商，采购约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年(nián)，江(jiāng)波龙(lóng)第(dì)一大、第二大和第三大供应商采(cǎi)购金额占(zhàn)比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙已经在存储产业链(liàn)上下游建立(lì)国内外广泛合作。2022年年报(bào)显示，江波龙与三(sān)星(xīng)、美光、西部(bù)数据等主(zhǔ)要存储晶圆原厂(chǎng)签署了长期合约，确保存储晶圆供应(yīng)的(de)稳(wěn)定性，巩固公司在下游市(shì)场的供(gōng)应优势，公(gōng)司也与(yǔ)国内国产存储晶圆原厂武汉长(zhǎng)江(jiāng)存储、合肥长(zhǎng)鑫保持(chí)良好的合(hé)作(zuò)。

　　有券商此前(qián)就分析，如果(guǒ)美(měi)光在中国(guó)区销售受(shòu)到限制，或将导致下游客户(hù)转而采购(gòu)国外三星、 SK海力士(shì)，国(guó)内长江(jiāng)存储、长鑫存储等竞对产(chǎn)品

　　分(fēn)析(xī)称，长(zhǎng)存、长鑫的上游设备厂(chǎng)或从中受(shòu)益(yì)。存(cún)储器(qì)的(de)生产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已经进入(rù)3D NAND时代(dài)，2 维到3维的(de)结构(gòu)转变使(shǐ)刻蚀和薄(báo)膜成为(wèi)最关键(jiàn)、最(zuì)大量的加工设备。3D NAND每层(céng)均需要经过薄膜(mó)沉积工艺步骤(zhòu)，同(tóng)时刻蚀目前前沿要(yào)刻到(dào) 60：1的深孔，未来可(kě)能(néng)会(huì)更(g希望的拼音是什么èng)深的孔或者沟(gōu)槽，催生更多设备需求(qiú)。据东京电子披(pī)露，薄膜沉(chén)积设备(bèi)及刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资本(běn)开(kāi)支合计为(wèi)75％。自长江存(cún)储被加入(rù)美国限(xiàn)制名单(dān)，设(shè)备国产化进(jìn)程加速，看好拓(tuò)荆科技（薄膜(mó)沉(chén)积）等相(xiāng)关公(gōng)司份额提升，以(yǐ)及存储(chǔ)业务占(zhàn)比较高的华海清(qīng)科(kē)（CMP）、盛美上海（清洗(xǐ)）等收入增长。

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