大家好，来看一则突发消息。

　　美(měi)光公司在华销(xiāo)售的产(chǎn)品(pǐn)未通(tōng)过网(wǎng)络安全审查

　　据网信(xìn)办消息，日前，网络安全审(shěn)查(chá)办公室依法对(duì)美光公司在华销售产品进行了网络安全审查。

　　审查发现(xiàn)，美光公司产品存(cún)在较严重(zhòng)网络安全问题隐(yǐn)患，对(duì)我国关键信(xìn)息基础(chǔ)设施供应链造成(chéng)重大(dà)安全风险，影(yǐng)响(xiǎng)我国国(guó)家安全(quán)。为此，网络安全审查(chá)办公室依法作出不予通过网络安全审查(chá)的结论。按照《网络(luò)安全(quán)法》等(děng)法律法规，我国(guó)内关(g吉首市是地级市还是县级市呢 吉首市是几线城市uān)键信息基础(chǔ)设施的运营者应停止采(cǎi)购美光(guāng)公司(sī)产品。

　　此次对美光(guāng)公司产品进行网(wǎng)络安(ān)全审(shěn)查，目的是防范产品(pǐn)网(wǎng)络(luò)安全问题危害(hài)国家关键(jiàn)信(xìn)息基础设施安(ān)全，是(shì)维护(hù)国(guó)家安(ān)全的必要措施。中国坚定推进(jìn)高水平对(duì)外开(kāi)放(fàng)，只要(yào)遵(zūn)守中(zhōng)国法(fǎ)律法规(guī)要(yào)求，欢迎各国企业、各类平台(tái)产(chǎn)品(pǐn)服(fú)务进(jìn)入中(zhōng)国市(shì)场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保障关键信息(xī)基础(chǔ)设施供应链安全，防(fáng)范(fàn)产(chǎn)品问题(tí)隐(yǐn)患造成网络(luò)安全(quán)风险，维(wéi)护国家安全，依据《中华人民共(gòng)和国国家安全(quán)法》《中(zhōng)华人民共和国网络(luò)安全(quán)法(fǎ)》，网络安全审查办公室按(àn)照《网络安全审查办法(fǎ)》，对美光公司（Micron）在华销售的产(chǎn)品实(shí)施网络安(ān)全审查。

　　美光是美国的存储芯(xīn)片行(xíng)业龙(lóng)头，也是全球存储芯片巨头之一，2022年收入来自(zì)中(zhōng)国市场收(shōu)入(rù)从此前高峰(fēng)57％降至2022年约11％。根据(jù)市场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数(shù)据、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市(shì)场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江(jiāng)波龙、佰(bǎi)维(wéi)存储等(děng)公司披露(lù)过美光等国际存储厂商为公司供应(yīng)商。

　　美光在江波龙采购占比已经显著下降，至少已经不是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光(guāng)位列江波龙第一大存(cún)储晶圆供应(yīng)商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第三大供应商采购金(jīn)额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江(jiāng)波龙(lóng)已经(jīng)在存储产业链(liàn)上(shàng)下游(yóu)建立国内外广泛(fàn)合作。2022年年报显示(shì)，江波龙与三星、美(měi)光(guāng)、西部数据(jù)等(děng)主要存储晶圆(yuán)原厂(chǎng)签(qiān)署(shǔ)了长期合约，确保存储晶(jīng)圆供应的稳定性，巩固公司在下游市场的供应优势，公司(sī)也与国内国产存(cún)储晶(jīng)圆(yuán)原厂武汉长(zhǎng)江存储、合肥长鑫保持良好(hǎo)的合作。

　　有券商此前就分(fēn)析，如(rú)果美光在中国区销(xiāo)售受(shòu)到限制，或将导致下游(yóu)客户转而采购国外三星、 SK海力士，国内长(zhǎng)江存储、长(zh吉首市是地级市还是县级市呢 吉首市是几线城市ǎng)鑫存储(chǔ)等(děng)竞对产品

　　分析称，长存(cún)、长(zhǎng)鑫的(de)上游设备厂(chǎng)或从中受益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现(xiàn)在(zài)已经进入3D NAND时代(dài)，2 维到3维的结构(gòu)转变使刻蚀和薄膜成(chéng)为最关键、最大量的加(jiā)工设备(bèi)。3D NAND每层(céng)均需要经过薄膜沉积工艺步(bù)骤，同(tóng)时(shí)刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会更深的(de)孔或者沟(gōu)槽，催生更多设备(bèi)需求。据(jù)东京电(diàn)子披露，薄(báo)膜沉积(jī)设备(bèi)及(jí)刻蚀占(zhàn)3D NAND产(chǎn)线资(zī)本开(kāi)支合计(jì)为75％。自长江(jiāng)存储被加入美国限制名单，设(shè)备国产化进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相关(guān)公司份额提(tí)升，以(yǐ)及存(cún)储业务占比较(jiào)高的华(huá)海清(qīng)科（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗）等(děng)收(shōu)入(rù)增长(zhǎng)。

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