大家好，来看一(yī)则突发消息。

　　美光公司在足疗买钟出去是睡觉吗，怎么跟宾馆前台说要服务(zài)华销售的产(chǎn)品未通过网络足疗买钟出去是睡觉吗，怎么跟宾馆前台说要服务(luò)安(ān)全审(shěn)查

　　据网信办消息(xī)，日前(qián)，网(wǎng)络安全审查(chá)办公室依(yī)法(fǎ)对(duì)美光(guāng)公司(sī)在华销售产品进行了(le)网(wǎng)络安全(quán)审查。

　　审(shěn)查发现，美光公司产品(pǐn)存(cún)在较严重(zhòng)网络安全问题隐(yǐn)患，对我(wǒ)国关键信息基础设施供应链(liàn)造成(chéng)重大安全风(fēng)险，影响我国国家安全(quán)。为此，网络安全审查办(bàn)公室依法作出不予通(tōng)过网络安全(quán)审查的结论。按照《网络安(ān)全法》等法律法规，我国内关(guān)键信息基础设施的(de)运营者应停止采购美(měi)光(guāng)公司(sī)产(chǎn)品。

　　此次对美(měi)光(guāng)公(gōng)司产品进行网络安全审查，目(mù)的是防范产品网(wǎng)络安全问题危(wēi)害国家关键信息(xī)基(jī)础设施(shī)安(ān)全，是维护国(guó)家(jiā)安全的必(bì)要措(cuò)施。中国(guó)坚定推进高水平(píng)对外开放(fàng)，只要(yào)遵守(shǒu)中国法律法规要求，欢迎各国企业、各类平台产品(pǐn)服务进入中(zhōng)国市场。

　　3月(yuè)31日，中国(guó)网(wǎng)信网发文称，为保障关键信息基础设施供应链安全，防范(fàn)产(chǎn)品问题隐患(huàn)造成网络安全风(fēng)险，维护国家安全(quán)，依据《中(zhōng)华人(rén)民(mín)共和(hé)国国家安全法(fǎ)》《中(zhōng)华人民共(gòng)和国网络安全(quán)法》，网络安全审查办公室(shì)按照《网络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华销(xiāo)售的(de)产品实施网(wǎng)络(luò)安(ān)全审(shěn)查。

　　美(měi)光是美国的存(cún)储芯片(piàn)行业(yè)龙头，也(yě)是(shì)全(quán)球存储芯片(piàn)巨头之(zhī)一，2022年收(shōu)入来自(zì)中国市场收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根(gēn)据市(shì)场(chǎng)咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年(nián)三星(xīng)电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内(nèi)存）市场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰(bǎi)维存储等公司披露过美光等国际存储厂(chǎng)商为公司(sī)供应商。

　　美光在江波(bō)龙采购占比(bǐ)已经(jīng)显(xiǎn)著(zhù)下降，至少(shǎo)已经不(bù)是(shì)主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位(wèi)列江波(bō)龙第一大存(cún)储晶圆供应商，采(cǎi)购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙第一(yī)大、第二大和(hé)第三大供应(yīng)商采购金额占比(bǐ)分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已经在存储产业链(liàn)上下游建立国(guó)内外(wài)广泛合作。2022年年报显示(shì)，江(jiāng)波(bō)龙与(yǔ)三星、美光、西部数据等(děng)主要存储(chǔ)晶圆原厂(chǎng)签(qiān)署(shǔ)了(le)长期合约，确(què)保存储晶(jīng)圆供应(yīng)的稳定性，巩(gǒng)固(gù)公司在下游(yóu)市场的(de)供应优势，公司(sī)也(yě)与(yǔ)国内国产存(cún)储晶圆原厂武汉(hàn)长(zhǎng)江(jiāng)存储、合(hé)肥(féi)长(zhǎng)鑫保持良(liáng)好的合作。

　　有券商此(cǐ)前(qián)就分析，如果美光(guāng)在中(zhōng)国区销售受到限制，或将导致下游客户转而采购国(guó)外三星(xīng)、 SK海力士(shì)，国内长江存储、长鑫存(cún)储等竞对产(chǎn)品

　　分析称(chēng)，长存、长鑫(xīn)的上(shàng)游设备厂或从中受(shòu)益。存储(chǔ)器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另(lìng)外(wài)NAND Flash现(xiàn)在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻蚀和(hé)薄(báo)膜成为最关(guān)键、最(zuì)大量的加工设备。3D NAND每层均(jūn)需(xū)要(yào)经过薄膜沉积工艺步骤(zhòu)，同时(shí)刻蚀目前前沿要刻(kè)到 60：1的深孔(kǒng)，未来可能会更(gèng)深的(de)孔或者沟(gōu)槽(cáo)，催生(shēng)更多(duō)设备需(xū)求。据东京电(diàn)子披露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资(zī)本开支合计为75％。自长江存储被加(jiā)入美国限制名单，设备国(guó)产(chǎn)化进程加速，看好拓荆科技(jì)（薄膜沉积）等相关公(gōng)司份额提(tí)升，以及存储业务占比较高的华海(hǎi)清科（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗(xǐ)）等收入增(zēng)长(zhǎng)。

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