大家好，来看(kàn)一(yī)则突发消(xiāo)息。

　　美光公司在华销(xiāo)售的产品未通(tōng)过(guò)网络安全审查

　　据网信办消息，日前(qián)，网络(luò)安全(quán)审(shěn)查(chá)办(bàn)公室依法对美光公司(sī)在华(huá)销售产品(pǐn)进行了(le)网络安(ān)全审查(chá)。

　　审查发现(xiàn)，美光公司产品存(cún)在较严重网络安全问题隐患，对我(wǒ)国(guó)关键信息基础设(shè)施(shī)供应链造(zào)成(chéng)重大安全风险，影响(xiǎng)我国国家安全。为此，网络安全审查办公(gōng)室依(yī)法作出不(bù)予通过网络安全审查(chá)的结论。按照《网络安(ān)全法》等(děng)法律法规，我国(guó)内(nèi)关(guān)键信(xìn)息基础设(shè)施的(de)运营者应停止采购美光公司产(chǎn)品。

　　此次(cì)对(duì)美(měi)光公司(sī)产(chǎn)品(pǐn)进行网络安全(quán)审查，目的是防范(fàn)产(chǎn)品网络安(ān)全问(wèn)题危害国家关(guān)键信息(xī)基础设施(shī)安全，是维护(hù)国家安全的(de)必要措施。中国坚定推进高水平对外(wài)开放(fàng)，只要遵(zūn)守中国(guó)法律(lǜ)法规要求，欢迎各国企业、各类(lèi)平台产品服务(wù)进(jìn)入中国市(shì)场(chǎng)。

　　3月(yuè)31日，中国(guó)网信网发文(wén)称(chēng)，为保障关键信息(xī)基础设施(shī)供应链安全，防范产品问题隐患造成网络安全风险，维护国家(jiā)安(ān)全音域划分从低到高，人声音域划分，依据《中华人民共和(hé)国国家(jiā)安全(quán)法》《中华人(rén)民共(gòng)和国(guó)网络安全法(fǎ)》，网络(luò)安全审查办(bàn)公室按照《网络安全(quán)审查办法》，对美(měi)光公(gōng)司(sī)（Micron）在华销售的产品实施网络安全审查。

　　美光是美国的(de)存储芯片行业(yè)龙头，也是全球(qiú)存储芯片巨(jù)头之(zhī)一(yī)，2022年(nián)收入(rù)来自中国市场(chǎng)收入从此前(qián)高峰57％降至(zhì)2022年约11％。根据(jù)市场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计(jì)，2021 年三星电子、 铠侠(xiá)、西(xī)部(bù)数据、SK 海力(lì)士(shì)、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市(shì)场份(fèn)额(é)约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美(měi)光在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中，江波龙、佰维存储等(děng)公司披(pī)露过(guò)美光等国际存储厂商为公司供应商(shāng)。

　　美光在江波龙采购占比音域划分从低到高，人声音域划分已经显(xiǎn)著下(xià)降，至少已经不是主(zhǔ)要大供应商。

　　公(gōng)告(gào)显示， 2021年美光(guāng)位列江波龙(lóng)第(dì)一大存储(chǔ)晶圆供应商，采购约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年(nián)，江波龙第(dì)一大、第二大和第三大供应商(shāng)采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙已经(jīng)在存(cún)储(chǔ)产业链上(shàng)下游建立国内外(wài)广泛合作。2022年年报(bào)显示，江波龙与(yǔ)三星、美光、西部数据等主要(yào)存储晶圆原厂签署了长期合约，确保(bǎo)存储晶圆供应的(de)稳定性，巩固(gù)公司在(zài)下游市场的供应优势，公司也与国内国产存储晶圆原(yuán)厂武汉长江存储、合(hé)肥长鑫保持良好的合作。

　　有券商此前(qián)就(jiù)分析，如果美光在中国区销售(shòu)受到限制，或将(jiāng)导致下游客户转(zhuǎn)而采购国(guó)外三(sān)星、 SK海力士，国内长江存(cún)储、长(zhǎng)鑫存储等(děng)竞对产品

　　分析(xī)称，长存、长鑫(xīn)的(de)上游设备厂(chǎng)或从中(zhōng)受益。存储器(qì)的生(shēng)产已经演(yǎn)进(jìn)到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另外(wài)NAND Flash现在已经(jīng)进入3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的结构转变使刻蚀(shí)和薄(báo)膜成为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要(yào)经(jīng)过(guò)薄膜沉积工艺步骤，同时刻(kè)蚀目前前(qián)沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会更深的孔或(huò)者沟槽，催生更多设备需(xū)求。据东京电子披露，薄膜沉积设备及刻蚀(shí)占3D NAND产线资本开(kāi)支合(hé)计为75％。自(zì)长江存(cún)储被(bèi)加入美国限制(zhì)名(míng)单(dān)，设备国产化(huà)进(jìn)程加速，看(kàn)好拓荆科技（薄膜(mó)沉(chén)积）等相关(guān)公司份额提升，以及存储业务占比较高的华海(hǎi)清科（CMP）、盛美(měi)上海（清洗(xǐ)）等收入增长。

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