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　　美(měi)光公(gōng)司在华销售的产品未通(tōng)过网络安全审查

　　据网信(xìn)办消(xiāo)息，日前，网络安全审查办公室依法对美(měi)光公司在华销(xiāo)售(shòu)产品进(jìn)行了网络安全(quán)审查。

　　审查发现，美光公司产品(pǐn)存在(zài)较严重(zhòng)网络安全问(wèn)题(tí)隐患，对我国关键信息基(jī)础设施供(gōng)应链造成重大安全风(fēng)险，影响我(wǒ)国(guó)国家安(ān)全。为此，网络安全(quán)审查办公室依(yī)法作出不予通过(guò)网(wǎng)络安全审(shěn)查的结(jié)论。按照《网络安全(quán)法》等法(fǎ)律法规(guī)，我国(guó)内关键信息(xī)基础设施的运营(yíng)者(zh一个团几个营几个连，一军一师一团一营一连一排ě)应停(tíng)止采购(gòu)美光(guāng)公(gōng)司(sī)产品。

　　此次(cì)对美光(guāng)公司产品进(jìn)行网络安全审查，目的是防范(fàn)产品网络安(ān)全问(wèn)题(tí)危害(hài)国家关(guān)键(jiàn)信息基础设施安(ān)全，是维护国家安全的必要措(cuò)施。中国坚定推进高水平对外开放，只(zhǐ)要(yào)遵守中国法律(lǜ)法(fǎ)规要求(qiú)，欢迎(yíng)各国企业、各类平台产品服务进入中国市场(chǎng)。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保障(zhàng)关(guān)键信息基(jī)础设施供应链安全，防范产(chǎn)品问题隐患造成(chéng)网络安全(quán)风险(xiǎn)，维(wéi)护国家(jiā)安全，依据《中华人民共和国国家安全法(fǎ)》《中(zhōng)华(huá)人民共和国网络安全法》，网(wǎng)络安全审查办公室按照《网(wǎng)络(luò)安全审查办法》，对美光公司（Micron）在(zài)华销售的(de)产品一个团几个营几个连，一军一师一团一营一连一排实施网(wǎng)络安全审查。

　　美光是美国的存储(chǔ)芯片(piàn)行业龙头，也是全球存储芯片巨头之一，2022年收(shōu)入(rù)来(lái)自中国市场收入(rù)从(cóng)此(cǐ)前高峰(fēng)57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电子(zi)、 铠(kǎi)侠、西(xī)部数据、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份额约为(wèi) 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力(lì)士、美(měi)光在全球 DRAM （内存）市场份额(é)约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存储(chǔ)等公司(sī)披露(lù)过美光等国(guó)际存储厂商为公(gōng)司供(gōng)应商。

　　美(měi)光在江波(bō)龙采购占比已经显著下降，至少已经(jīng)不是主要(yào)大供(gōng)应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波(bō)龙第一大存(cún)储晶圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一(yī)大(dà)、第二大和(hé)第三(sān)大(dà)供(gōng)应商采(cǎi)购(gòu)金(jīn)额占比(bǐ)分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已经在存储产业链(liàn)上下游建(jiàn)立(lì)国内外广泛合作。2022年年(nián)报显示，江波龙与(yǔ)三星、美光、西(xī)部数据等主(zhǔ)要存(cún)储(chǔ)晶圆原厂签署了长期合约，确保存储(chǔ)晶圆供应的(de)稳定性(xìng)，巩固公司在下(xià)游市场的供应优势(shì)，公司也与国内国产存(cún)储(chǔ)晶圆(yuán)原厂(chǎng)武(wǔ)汉长江存(cún)储、合肥长鑫(xīn)保持(chí)良好的合作。

　　有券商此前就分析，如果美(měi)光在中国区销售受到限(xiàn)制，或将导致(zhì一个团几个营几个连，一军一师一团一营一连一排)下游(yóu)客户转而采购国外三星、 SK海力士，国(guó)内长江存储、长鑫(xīn)存(cún)储等竞对产(chǎn)品(pǐn)

　　分(fēn)析称，长存(cún)、长鑫的上游设备厂或从中(zhōng)受益(yì)。存储(chǔ)器的生产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时(shí)代，2 维(wéi)到3维的结构转(zhuǎn)变使刻蚀和薄膜成为最关键(jiàn)、最大量(liàng)的加工设备。3D NAND每层均需要经(jīng)过薄膜沉(chén)积(jī)工艺步骤，同时刻蚀目前前沿(yán)要刻到 60：1的深孔，未来可能会更(gèng)深(shēn)的孔或(huò)者(zhě)沟槽(cáo)，催生(shēng)更(gèng)多(duō)设备需求。据东京(jīng)电子披露，薄膜沉积设(shè)备及(jí)刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资本开支合计为75％。自长江存储被加入美国限制名单，设备(bèi)国产化进程(chéng)加速，看好(hǎo)拓荆科技（薄膜沉积）等相关公司份额提升，以(yǐ)及存储业务占比较高(gāo)的(de)华海清科（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗）等(děng)收(shōu)入增长。

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