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　　美光公司在华销售的产品未(wèi)通过网络安全审查

　　据(jù)网信办消息(xī)，日前，网络(luò)安(ān)全审查办公(gōng)室依法对美光公司(sī)在(zài)华销售产品进行了网(wǎng)络安全审查。

　　审查发现，美(měi)光公司产品存(cún)在(zài)较严重(zhòng)网络安全问(wèn)题隐患，对我国关键信息基(jī)础设施供应链造成重大安(ān)全(quán)风(fēng)险，影响我国国(guó)家(jiā)安全(quán)。为此，网络安全(quán)审查办公室依(yī)法作出不(bù)予通过网络(luò)安全审查的结论。按照《网络安(ān)全法(fǎ)》等法律法规(guī)，我国内关键信息基础(chǔ)设施的运营者(zhě)应停止(zhǐ)采购(gòu)美光(guāng)公司产品。

　　此次(cì)对(duì)美光公(gōng)司产(chǎn)品进行(xíng)网络安全(quán)审查，目的(de)是(shì)防范(fàn)产品网络(luò)安全问题危害国家关键信(xìn)息基础设施安全(quán)，是(shì)维护国家安全的必要(yào)措施。中国坚定推进高水平对外(wài)开放，只(zhǐ)要遵守(shǒu)中国法律法规要求，欢迎各国企业、各类平台产(chǎn)品服务进(jìn)入(rù)中国市场(chǎng)。

　　3月31日，中国(guó)网信(xìn)网发文称(chēng)，为保障关键信息基础设(shè)施供应链安全，防范产品问题隐患造成网(wǎng)络(luò)安(ān)全风险(xiǎn)，维护国家(jiā)安全，依(yī)据《中华人民共和国国家安(ān)全法》《中(zhōng)华人民共和国网络(luò)安全法(fǎ)》，网(wǎng)络安全审查办公室按照《网络安全(quán)审查办法》，对(duì)美光公司（Micron）在华销售的产品(pǐn)实施网络安全审查。

　　美光是美国的存(cún)储(chǔ)芯片行(xíng)业(yè)龙头(tóu)，也是全球存储芯片(piàn)巨(jù)头之一，2022年收入来自(zì)中(zhōng)国市场收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据(jù)市场(chǎng)咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电子(zi)、 铠侠、西部(bù)数据(jù)、SK 海力(lì)士、美(měi)光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三(sān)星电子(zi)、 SK 海力(lì)士、美光在全球(qiú) DRAM （内存(cún)）市场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中，江(jiāng)波龙、佰维存(cún)储等公司披露过美光等国际存储厂商(shāng)为公司供应(yīng)商。

　　美光在江波(bō)龙采购占比已经显著下降，至少已经不是主要(yào)大供应商。

　　公(gōng)告显示， 2021年美光(guāng)位(wèi)列(liè)江(jiāng)波龙(lóng)第一大存储(chǔ)晶圆供应商(shāng)，采购(gòu)约31亿元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第(dì)一(yī)大(dà)、第二大和(hé)第三大供应商采购(gòu)金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存(cún)储产业(yè)链上下(xià)游建立国内外(wài)广泛合作。2022年年报显(xiǎn)示(shì)，江(jiāng)波龙与三星、美光(guāng)、西(xī)部(bù)数据等(děng)主要存(cún)储晶圆原(yuán)厂签署了长期合约，确保一本书多重，一本书多重有一斤吗(bǎo)存储晶圆供应的稳定(dìng)性，巩固公司在下游市场的供应优势(shì)，公司也与国(guó)内国产存(cún)储晶(jīng)圆原厂(chǎng)武汉长(zhǎng)江存储、合(hé)肥长鑫保持良好的合作。

　　有券商(shāng)此前(qián)就(jiù)分析，如果美光在中国区(qū)销售受(shòu)到限制，或将导(dǎo)致下游客(kè)户转(zhuǎn)而采购国外三星、 SK海(hǎi)力(lì)士(shì)，国内长江存储、长鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的(de)上游设备厂或从中(zhōng)受益(yì)。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已(yǐ)经进入3D NAND时代，2 维到(dào)3维(wéi)的结构转变使刻蚀和薄(báo)膜成为(wèi)最关键、最大量(lià一本书多重，一本书多重有一斤吗ng)的加工设备。3D NAND每层均需要经过(guò)薄膜沉积工艺(yì)步骤，同时刻蚀目前前(qián)沿(yán)要刻(kè)到(dào) 60：1的深孔，未来可(kě)能会更深的孔或(huò)者沟槽，催(cuī)生更多设备需求。据东京(jīng)电子披露(lù)，薄(báo)膜沉积设备(bèi)及(jí)刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开支合计为75％。自长江(jiāng)存储被加入美国限制名(míng)单，设(shè)备(bèi)国产化(huà)进程加速，看好拓荆科(kē)技（薄膜沉(chén)积）等相关公司份额提(tí)升，以及存储业务(wù)占(zhàn)比(bǐ)较高的华(huá)海(hǎi)清(qīng)科（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗）等收入(rù)一本书多重，一本书多重有一斤吗增(zēng)长。

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