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　　美光公司在华销售的产品未通过网络安全审查

　　据网信办消息，日前，网(wǎng)络安全(quán)审查办(bàn)公室依法对(duì)美(měi)光公(gōng)司在华销(xiāo)售(shòu)产品(pǐn)进(jìn)行了网(wǎng)络安(ān)全审查。

　　审查发现，美光公司产品存在(zài)较严(yán)重(zhòng)网络安(ān)全问(wèn)题隐患，对我国关键信息基础设施(shī)供应链(liàn)造成重大安全风险，影(yǐng)响我国(guó)国家安全。为此，网络安全审查办公室依法(fǎ)作出不予通过网络安全审查的结6千克等于多少斤 6千克是多少磅论。按(àn)照《网络安全法》等法律法(fǎ)规(guī)，我国内关键(jiàn)信息基础设施的运营(yíng)者应(yīng)停止采购美光公司产(chǎn)品。

　　此(cǐ)次对(duì)美光公司产品进行网络安全审(shěn)查，目的是(shì)防(fáng)范(fàn)产品网络安全问题危害(hài)国家关(guān)键信息(xī)基础(chǔ)设施安全，是(shì)维(wéi)护(hù)国家(jiā)安全的必(bì)要措施。中国(guó)坚定推进高水平对外开放，只(zhǐ)要遵守中(zhōn6千克等于多少斤 6千克是多少磅g)国法律法(fǎ)规要(yào)求，欢迎各国企业(yè)、各类平台产品服务进入中国市场(chǎng)。

　　3月31日，中国(guó)网信网发文称，为保障关键(jiàn)信息基础设施供(gōng)应链(liàn)安全，防(fáng)范产品问题隐患造成网络(luò)安全风险(xiǎn)，维(wéi)护国家安全，依据《中华人(rén)民共(gòng)和国国家安全(quán)法》《中华人(rén)民共和国网络安全法》，网络(luò)安(ān)全审查办(bàn)公室按照《网(wǎng)络安全审查(chá)办法》，对美光公(gōng)司(sī)（Micron）在华销售的产品(pǐn)实施网络安全审查。

　　美光是美(měi)国的存储芯片行(xíng)业龙头(tóu)，也是全球存储芯片(piàn)巨(jù)头之一(yī)，2022年(nián)收入来自中国市场收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根(gēn)据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星(xīng)电子、 铠侠、西部数(shù)据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份额约为 96.76％，三星电(diàn)子(zi)、 SK 海(hǎi)力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存储等(děng)公(gōng)司(sī)披(pī)露过美(měi)光等国际(jì)存(cún)储厂商为公司供应(yīng)商。

　　美(měi)光(guāng)在江(jiāng)波龙采(cǎi)购占比已经显著下降，至少(shǎo)已经不是(shì)主(zhǔ)要大供应商。

　　公告(gào)显示， 2021年美光(guāng)位列江波龙(lóng)第一大(dà)存储晶圆(yuán)供应(yīng)商(shāng)，采购(gòu)约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波(bō)龙第一大(dà)、第二(èr)大和(hé)第三大供应商采(cǎi)购金额占比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已经在存(cún)储产业链上下游建立国内外广泛(fàn)合作(zuò)。2022年年报(bào)显示，江(jiāng)波龙(lóng)与三(sān)星、美光、西部数据等(děng)主要存储(chǔ)晶圆原(yuán)厂签(qiān)署(shǔ)了长(zhǎng)期合约(yuē)，确(què)保存储晶圆供应(yīng)的稳定性，巩(gǒng)固公司在下游市场的供应优势，公司也与国内国(guó)产存(cún)储晶圆原厂(chǎng)武(wǔ)汉长江(jiāng)存储、合(hé)肥(féi)长鑫保持良(liáng)好(hǎo)的合作(zuò)。

　　有券(quàn)商此前就分(fēn)析，如果美光(guāng)在中国区(qū)销(xiāo)售受到限制，或将导(dǎo)致下游客户(hù)转而采购国外三星(xīng)、 SK海力(lì)士，国内长(zhǎng)江(jiāng)存储、长鑫(xīn)存(cún)储(chǔ)等竞对产品

　　分析称(chēng)，长(zhǎng)存、长(zhǎng)鑫的上游(yóu)设备厂或从中受益。存储器的生产已经(jīng)演进到6千克等于多少斤 6千克是多少磅1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时(shí)代(dài)，2 维(wéi)到3维的(de)结构转变使刻蚀和薄膜成为最关键(jiàn)、最大量的加(jiā)工设备。3D NAND每层(céng)均需要经过(guò)薄膜沉积工艺步骤(zhòu)，同(tóng)时刻蚀目前前沿要刻到(dào) 60：1的深(shēn)孔(kǒng)，未(wèi)来可(kě)能会更深的(de)孔或者沟(gōu)槽(cáo)，催(cuī)生更多(duō)设备需求(qiú)。据东(dōng)京(jīng)电子披露，薄(báo)膜沉积设备及(jí)刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资(zī)本(běn)开(kāi)支合计为(wèi)75％。自长江存储被加入(rù)美(měi)国限制名单，设(shè)备国(guó)产(chǎn)化进(jìn)程加速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等(děng)相关(guān)公司份额提升，以及(jí)存(cún)储业务占比较高的华海(hǎi)清科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清(qīng)洗）等收(shōu)入增长。

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